ESD结构、ESD器件及ESD芯片

本发明提供了一种ESD结构，包括依次堆叠的衬底、埋层、外延，第一阱区位于外延中，第二阱区从外延延伸至与埋层接触，M个相互分离的第三阱区位于第二阱区中，第一隔离结构跨接在所述第一阱区和第二阱区上，第一有源区位于第一阱区的部分上以及每个第三阱区的部分上，第二有源区，位于未被第一有源区以及第一隔离结构覆盖的第二阱区上，第二阱区上的第一有源区和第二有源区经第二隔离结构隔离。本发明能在较小的面积下实现较高的击穿电压和较强的ESD防护能力，且维持电压高，电压应用范围广，回滞效应大为降低，能够避免闩锁风险。