一种防护型耐高温半导体芯片

本发明公开了一种防护型耐高温半导体芯片，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上端设置有N+衬底，N+衬底的上端设置有N‑外延层，N‑外延层的上端设置有N－漂移区，N－漂移区的下端设置有屏蔽缓冲区，屏蔽缓冲区的内部设置有屏蔽缓冲层和氧化层，N‑外延层的两端分别设置有两个漂移层和N+有源区，栅氧层内设置有栅极内槽。该防护型耐高温半导体芯片，使得半导体芯片实现边传输边散热，提高半导体芯片的导通效率，增加半导体芯片的实用性，实现半导体芯片的快速响应和高效能的静电放电保护，降低静电放电对半导体芯片的损害风险，增加半导体芯片的可靠性和安全性能。