一种单光子雪崩光电探测器线阵的制作方法

AITNT
正文
推荐专利
一种单光子雪崩光电探测器线阵的制作方法
申请号:CN202411949644
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119815968A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种单光子雪崩光电探测器线阵的制作方法,其涉及探测器线阵技术领域,旨在解决现有的对于大型阵列探测器,如线阵和面阵来说,其单片集成的成品率极其低,盲元率较高的问题,其技术方案要点是包括S1:线阵单元制备,首先准备好陶瓷基板,并在陶瓷基板上烧结多组等间距分布的SPAD芯片单元,使多组等间距分布的SPAD芯片单元形成一个线阵单元;S2:制备底座,焊接一组U型支架底座,并将一组线阵单元烧结在U型支架底座的底面上端;S3:分束镜安装将分束镜烧结在U型支架底座中,使分束镜倾斜安装在U型支架对角线位置;S4完成安装,将另一个线阵单元烧结到U型支架底座的侧面完成安装。达到,降低了像元间串扰、降低盲元率的效果。
技术关键词
雪崩光电探测器 支架底座 陶瓷基板 U型支架 芯片 间距 线阵 氮化铝 反射光 碳化硅 导电 氧化铝 单片 收入 光强 方形 阵列
系统为您推荐了相关专利信息
1
高功率宽带脉冲功放发射模块及功率放大器
功率模块 波导合成器 功率放大芯片 时序保护电路 高功率
2
一种光电子芯片的封装结构及其使用方法
封装结构 电子芯片 气压 滑动轨道 切割组件
3
应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构
铜柱凸块 高密度互连 防焊层 IC载板 真空贴膜设备
4
一种用于高压串联谐振耐压试验的SiC变频电源
滤波电容器组 谐振耐压 变频电源 出口滤波器 三相整流桥
5
半导体器件、半导体结构及其制造方法
沟道结构 接触件结构 栅极结构 半导体结构 外延结构
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号