应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构

本发明公开了一种应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构，该加工方法包括：提供设有线路层和防焊层的IC载板；对防焊层表面进行等离子体粗化，使防焊层表面形成为蜂窝状结构；在防焊层表面上形成化铜层；将多张抗镀干膜层叠设置于化铜层及线路层上；对抗镀干膜进行曝光和显影，形成多个分别以线路层局部为槽底、并开口于抗镀干膜背向线路层的一表面上的盲孔槽；向多个盲孔槽中镀入铜料，经研磨后制得多个铜柱凸块；去除抗镀干膜后进行烘烤，促进铜柱凸块再结晶。该加工方法可实现于IC载板上制得高度为80～200μm的铜柱凸块，提高了基板封装密度、减少了基板封装体积，实现了更高效、更高密度的线路连接，满足了封装需求。