半导体器件、半导体结构及其制造方法

本发明描述了一种具有用于芯片识别的识别器件的半导体器件、半导体结构，还描述了一种制造半导体结构的方法。半导体结构包括：第一沟道结构和第二沟道结构，位于衬底上；栅极结构，位于第一沟道结构和第二沟道结构上；外延结构，位于第一沟道结构和第二沟道结构上；以及第一源极/漏极(S/D)接触件结构，位于第一沟道结构上。外延结构位于栅极结构的第一侧，并且第一S/D接触件结构位于栅极结构的与第一侧相对的第二侧。半导体结构还包括第二S/D接触件结构，位于第二沟道结构上。第二S/D接触件结构位于栅极结构的第二侧。