被限定在栅极沟槽内的栅极切口

本文提供了形成半导体器件的技术，该半导体器件包括在相邻器件之间的栅极沟槽内自对准的一个或多个栅极切口。半导体器件包括围绕半导体区域或在半导体区域上的栅极结构。栅极结构包括栅极电介质和栅电极。栅极结构可以被栅极切口中断，该栅极切口延伸穿过栅极结构的整个厚度并且包括电介质材料以电隔离栅极结构的在栅极切口的任一侧上的部分。在示例中，栅极切口被限定在栅极沟槽内，使得其不延伸超过由栅极间隔件结构限定的栅极沟槽的壁。另外，栅极电介质不形成在栅极切口的任何表面上，使得栅极切口直接接触栅电极。