改善散热性能的半导体封装结构及其制造方法

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改善散热性能的半导体封装结构及其制造方法
申请号:CN202411963388
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119993946A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供了一种改善散热性能的半导体封装结构及其制造方法,属于半导体封装技术领域。该半导体封装结构包括引线框架、导电粘接层和半导体芯片,所述引线框架的第一表面具有凹槽,所述导电粘接层位于所述凹槽的底面和所述凹槽的侧壁;所述半导体芯片位于所述凹槽中,且所述半导体芯片的底面和所述半导体芯片的侧壁均通过所述导电粘接层与所述引线框架连接。本公开实施例能提高半导体封装结构的散热性能,提高半导体封装结构的可靠性。
技术关键词
半导体封装结构 半导体芯片 引线框架 绝缘导热 凹槽 半导体封装技术 金属焊料 导电胶
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