一种面向MRAM的高可靠陶瓷磁屏蔽封装结构

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一种面向MRAM的高可靠陶瓷磁屏蔽封装结构
申请号:CN202411969115
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119852288A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本发明属于磁屏蔽封装技术领域,特别涉及一种面向MRAM的高可靠陶瓷磁屏蔽封装结构。该封装结构由陶瓷基座、封接环、磁屏蔽盖板和磁屏蔽底板构成;所述陶瓷基座的内腔底部焊接有所述磁屏蔽底板,所述陶瓷基座的内腔四周侧壁焊接有所述封接环,所述封接环的顶部焊接或粘接有所述磁屏蔽盖板,且所述磁屏蔽底板的顶部键合有待封装的芯片。本发明中的封装结构对于芯片处磁场具有优异的屏蔽效果。相比于四面体的封装形式,在保证屏蔽效果的同时,能够将内部芯片与外界的水、气、盐等因素隔离,大大提高了封装可靠性。
技术关键词
磁屏蔽 陶瓷基座 封装结构 磁性胶水 屏蔽盖板 底板 磁性焊料 钼合金 封装芯片 一体成型结构 合金材料 内腔 环氧树脂 应力 间距
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