摘要
本发明提供了一种DRAM的读写时长检测方法、装置、设备和计算机可读介质,该方法包括分配目标地址的预设容量的缓冲区用于读写速度检测;进行预设次数的读写操作,并记录每次读写操作的起止时间;根据所述起止时间确定读写时长,并对所述读写时长进行筛分。该实施方式通过在缓冲区的预设容量的目标地址进行读写速度检测,能够针对不同地址以及不同容量的情景下,对读写速度进行检测,使得检测结果更具针对性。通过进行多次的读写操作,获取每次操作的读写时长,在对上述读写时长进行筛分,从而提高检测的准确性。
技术关键词
人工智能芯片
机器学习模型
处理器
曲线
计算机程序产品
样本
数值
分配单元
记录单元
速度
存储装置
时序
介质
关系
电子设备
情景
数据
标记
系统为您推荐了相关专利信息
变电站防汛
推荐方法
知识图谱构建
神经网络模型
实体
有向无环图
合成器
调度器
神经网络参数
基础功能模块
自然语言
预训练模型
知识图谱分析
推荐卡片
节点
微动频散曲线
煤矿灾害
微动传感器
网格
预测系统
锂电池外壳
神经网络模型
锂电池生产线
图像
缺陷检测方法