摘要
本发明属于半导体加工技术领域,公开了一种结构光照明的光刻对准方法,包括步骤:将硅片与表面刻蚀有对准标记的掩模重叠放置,利用结构光对对准标记进行准直照明,形成二次调制的莫尔条纹;利用图像采集单元对二次调制的莫尔条纹进行图像采集;采集的图像输入相位解析模型,计算出每组莫尔条纹的对准偏移信息;通过解调算法模型对对准偏移信息进行处理,计算获得最终的对准偏移量;利用对准偏移量完成掩膜和硅片的对准。本发明运用结构光照明来提升光刻莫尔对准技术的精度和灵敏度,实现在亚纳米级光刻对准。
技术关键词
光刻对准方法
对准偏移量
结构光照明
对准标记
结构光光栅
图像采集单元
条纹
解调算法
纳米级光刻
低通滤波器
准直透镜
硅片
混频器
对准技术
投影透镜
光束
激光光源
掩模
掩膜
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