MEMS芯片及其制备方法和气体传感器

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MEMS芯片及其制备方法和气体传感器
申请号:CN202411977690
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119898727A
公开日期:2025-04-29
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种MEMS芯片及其制备方法和气体传感器,其中,所述制备方法,包括:在衬底的第一侧依次形成第一极板层、间隙层和第二极板层,所述间隙层具有牺牲部,所述牺牲部位于所述第一极板层与所述第二极板层之间;在所述第二极板层上形成通气孔,所述通气孔的第一端与外部连通,所述通气孔的第二端延伸至所述牺牲部;从所述通气孔刻蚀去除所述牺牲部,以在所述第一极板层与所述第二极板层之间形成气体检测空腔,得到MEMS芯片。
技术关键词
MEMS芯片 通气孔 衬底 气体传感器 半导体 沉积槽 机械抛光 温度传感单元 疏水材料 层沉积 PN结 空腔 通孔
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