一种顶部散热表贴式封装结构的功率氮化镓HEMT器件

本申请公开了一种功率氮化镓HEMT器件的顶部散热表贴式封装结构，包括功率氮化镓HEMT芯片、载片台、栅极引脚、开尔文源极引脚、源极引脚和漏极引脚。其中，载片台贴片区域通过焊料或者其它方式与功率氮化镓HEMT芯片进行连接，且通过金属键合组件与功率氮化镓HEMT芯片的源极进行连接。源极引脚直接与载片台相连，开尔文源极引脚可以选择与载片台相连或分离。栅极和漏极引脚通过金属键合组件连接功率氮化镓HEMT芯片的栅极和漏极。载片台与贴片区域相反的一面在封装体顶部露出，形成散热基板，各个引脚向散热基板相反的一侧成型，用于电路板焊接组装。如此，功率氮化镓HEMT器件可实现顶部散热结构，提高散热效率及可靠性。