一种SiC沟槽MOSFET器件

本实用新型公开了一种SiC沟槽MOSFET器件，包括外延层，外延层上具有两个栅极沟槽，栅极沟槽的底部和侧壁形成有二氧化硅层，沟槽内部二氧化硅层上表面的沟槽剩余位置被栅极多晶硅填充，两栅极沟槽间的中间沟槽被多晶硅填充，栅极沟槽的侧面和底部均有一个P阱区域，侧面的P阱区域上形成N+源区和P+区域，底部的P阱和N+区域底部被P+屏蔽层包围且P+屏蔽层成阶梯形状。在沟槽底部设置了额外的N+源区，提高了沟道密度，显著降低了器件的比导通电阻，进而缩小芯片面积，降低生产成本；同时通过栅极沟槽底部的两P+区域和中间沟槽内的多晶硅引入了一个集成的JFET器件，消除了反向开启时的体二极管的双极退化效应，大大提高了器件的可靠性。