半导体结构与半导体装置

本申请涉及半导体结构与半导体装置，其中，半导体结构包括位于衬底中的源极及漏极。所述半导体结构包括氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)装置的栅极，所述栅极被配置成对源极与漏极之间的通道进行控制。所述半导体结构包括位于栅极与衬底上的电路之间的电阻器，在目标装置(例如，氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管装置)的栅极与箝位电路之间提供电阻器会改善输入/输出(IO)与目标装置之间的静电放电(ESD)保护。举例而言，在人体模型下，电阻器可在输入/输出与目标装置的源极之间以及输入/输出与目标装置的漏极之间形成可为至少2千伏的静电放电保护。由于静电放电保护得到改善，因此目标装置中发生烧毁的可能性得以降低。另外，可在箝位电路中施加更大的电流，而不会存在静电放电的风险。