一种高温高压全密封硅堆

本实用新型公开一种高温高压全密封硅堆，选用碳化硅作为芯片的基础材料；基于碳化硅的高耐压、低导通电阻、高频、高温等特性实现芯片的耐高温、高压、高频的特性；采用纳米银膏对碳化硅芯片和桥式引线进行焊接串联形成芯片组件，具有高连接强度、高导电性和高导热性；对硅堆外壳进行再设计，采用陶瓷材料制备外壳主体，通过隔离岛将芯片之间的绝缘电压提升至12KV，外部引出两个螺纹陶瓷的引出端包住阴极和阳极，扩大硅堆的放电距离，提高了绝缘电压；采用灌封胶对合片后的芯片组件实施全密封灌胶，防止加高压时出现空气电离而出现打火的现象；本实用新型提出的硅堆满足结温300ºC，反向工作电压10KV的技术要求。