一种水平阵列高效率的半导体激光器

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一种水平阵列高效率的半导体激光器
申请号:CN202421689599
申请日期:2024-07-17
公开号:CN222749868U
公开日期:2025-04-11
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型提供一种水平阵列高效率的半导体激光器,属于半导体激光器技术领域,包括:外壳体和底座,所述外壳体的底部固定安装有底座,所述外壳体的内部固定安装有陶瓷基板,所述陶瓷基板的顶部开设有安装槽,所述安装槽截面设置为U形,所述安装槽的内腔焊接有热沉,所述热沉设置为CD金刚石。本实用新型通过采用嵌入式焊接技术将热沉安装在陶瓷基板的安装槽内,取代了传统封装方案将热沉焊接在陶瓷片的顶部平面上,插接的焊接方式增大了焊接面积,使焊接过程和后续工作过程产生的氧化层处于槽的两边,氧化层的产生和增厚几乎不影响散热,进而提高了半导体激光器的封装散热能力和稳定性。
技术关键词
陶瓷基板 外壳体 高效率 半导体激光器技术 陶瓷片 绝缘片 阵列 热沉 安装槽 防护板 正电极 金刚石 底座 无氧铜 芯片 氮化铝 氧化层 焊料
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