套刻图形及晶圆

本实用新型提供一种套刻图形及晶圆，套刻图形包括前层套刻图形和当层套刻图形，前层套刻图形和当层套刻图形的形状相同且均呈T字型，前层套刻图形和当层套刻图形均包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分，前层套刻图形的第二部分与当层套刻图形的第二部分在第二方向上相对设置，且前层套刻图形和当层套刻图形在第二方向上的宽度之和小于或者等于20um。T型设计的套刻图形缩减了第二方向的尺寸，套刻图形的宽度能够满足放置在宽度为40um的切割道内，并且在宽度为60um的切割道内能够容纳2组套刻图形组合，提高了IBO测量技术的测量精度，并且解决了窄切割道内放置套刻图形的技术问题，节省了切割道的面积，并减小了半导体器件的尺寸。