一种避免滤波器芯片IDT区域污染的基板结构

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一种避免滤波器芯片IDT区域污染的基板结构
申请号:CN202421966370
申请日期:2024-08-14
公开号:CN223024390U
公开日期:2025-06-24
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开了一种避免滤波器芯片IDT区域污染的基板结构,包括表面涂覆有阻焊油墨层的基板以及贴装于基板正面的滤波器芯片,其中,滤波器芯片底部设有IDT区域,围绕IDT区域四周设有若干凸点;基板正面设有若干与凸点对应的焊盘和一阻焊开窗,阻焊开窗位于基板正面与IDT区域对应的位置,使基板正面与IDT区域之间形成空腔。本实用新型取消了基板正面位于滤波器芯片底部IDT区域下方的阻焊油墨层,从而增大芯片底部与基板正面之间的空腔体积,避免了焊接后芯片下沉导致空腔消失、IDT区域污染的问题。
技术关键词
滤波器芯片 基板结构 阻焊油墨 阻焊开窗 声表面波滤波器 正面 凸点 焊盘 倒装芯片 空腔 铜板 涂覆 助焊剂 基材 短距离 连线 电气
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