一种DFN封装大功率射频器件

本实用新型公开一种DFN封装大功率射频器件，其包括塑封材料层以及塑封材料层内部的基岛、芯片、引线和引脚，所述芯片位于基岛之上，所述芯片和基岛通过第一粘接材料层粘接；所述引脚位于基岛的两侧，且两侧的引脚与基岛之间具有间隙，所述芯片与引脚通过引线电性连接；所述基岛的两侧上部向外水平地延伸出凸起，所述引脚向内侧水平地延伸出凸起，使得两侧的引脚与基岛之间的间隙为上窄下宽的形态。本实用新型通过上述方案实现一种DFN封装大功率射频器件结构，使用DFN封装改善现有技术的射频器件问题，无引脚表面贴装封装，体积小，占用空间小，产品成本低，散热性能好。