利用Hybrid Bonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构

利用Hybrid Bonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片结构，包括晶圆级CIS芯片、硅基承载片、晶圆级CID芯片；晶圆级CIS芯片正面设有粘贴膜层和玻璃层；在晶圆级CIS芯片背面进行减薄处理并形成非键合层；在晶圆级CIS芯片背面设置导电通孔结构；在晶圆级CIS芯片背面设置导电结构；在硅基承载片上设置导电通孔结构；在硅基承载片上设置导电结构；将晶圆级CID芯片和硅基承载片键合在一起，并减薄形成凹槽结构，在其内粘贴第二类芯片；在键合后晶圆上设置第一层绝缘层，在其上设置第一层金属重布线层；在键合后晶圆上设置第二层绝缘层，并设置第二层金属重布线层；在第二层金属重布线层上植球；切割得到单颗Die。该封装结构实现能极大的提高封装效率，显著降低加工成本。