摘要
本实用新型提供一种晶圆切割道结构及对应的半导体芯片,该晶圆切割道结构包括器件部、密封环、钝化层、切割道。器件部包括硅衬底和叠层结构,叠层结构设置于硅衬底的上端,叠层结构与硅衬底连接。密封环包括第一密封部,第一密封部沿叠层结构的周向设置。第一密封部与叠层结构连接,第一密封部在叠层结构长度方向或宽度方向上的厚度为3‑5μm。钝化层包裹于器件部与密封环的外侧,钝化层与器件部、密封环连接。切割道设置在钝化层上,切割道位于相邻两个器件部之间,切割道沿器件部的周向设置。
技术关键词
叠层结构
晶圆切割道结构
金属间介质层
硅衬底
密封环
欧姆金属层
氮化铝镓层
半导体芯片
氮化硅层
氮化镓层
环状
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