一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片

本实用新型涉及半导体器件技术，公开一种IGBT芯片的元胞区结构和IGBT芯片，包括：衬底，以及在衬底正面挖空处设置的P阱区；两个纵向穿过P阱区的Poly栅极，在两个Poly栅极之间的P阱区上表面挖空处设置的硅化物区；在衬底正面、P阱区、Poly栅极之上设有氧化层，且氧化层还将Poly栅极与衬底、P阱区、硅化物区隔离；在氧化层、硅化物区之上设有介质层，以及纵向穿透介质层与硅化物区接触的正面金属层；在衬底背面之下依次设有缓冲层、P型掺杂层和背面金属层。本实用新型旨在使IGBT芯片具有天然的抗闩锁特性，以消除相应的闩锁效应。