一种发光二极管芯片及其制备方法

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一种发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202411876176
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119653936A
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法,属于显示技术领域,制备方法包括:提供包含外延层的复合衬底,复合衬底包括层叠设置的第一衬底和第二衬底,外延层设置在第一衬底背离第二衬底的一侧,第二衬底的厚度大于第一衬底的厚度;对外延层进行图形化工艺,形成多个发光单元;在发光单元背离复合衬底的一侧形成电极;将复合衬底中的第二衬底与第一衬底剥离,形成包括第一衬底及多个发光单元的中间结构体;通过划片裂片工艺分离中间结构体,形成多个发光二极管芯片。通过本申请提供的一种发光二极管芯片及其制备方法,可以降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况,并减薄发光二极管芯片的厚度,降低制备成本。
技术关键词
发光二极管芯片 复合衬底 发光单元 外延 裂片工艺 多层结构 氮化镓 层叠 碳化硅 氧化铝 电极 单层
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