一种功率半导体装置

本申请公开了一种功率半导体装置，该功率半导体装置包括覆铜陶瓷基板和至少三个半导体芯片组，半导体芯片组通过键合线与覆铜陶瓷基板电气连接，至少三个半导体芯片组沿第一方向依次排列；半导体芯片组包括上桥臂电路、下桥臂电路以及第一连接端子，上桥臂电路和下桥臂电路沿第二方向依次排列；上桥臂电路和下桥臂电路包括并联的两个半导体芯片，上桥臂电路和下桥臂电路的半导体芯片分别与第一连接端子连接。该功率半导体装置的至少三个半导体芯片组均包括上桥臂电路和下桥臂电路，上桥臂电路和下桥臂电路均包括并联的两个半导体芯片，使得至少三个半导体芯片组的一致性好，有利于降低功率半导体装置的寄生参数，提高功率半导体装置的均流性。