一种覆铜陶瓷基板及功率模块

本实用新型提供一种覆铜陶瓷基板及功率模块，涉及半导体器件技术领域，包括：自上而下堆叠的上铜层、中间陶瓷层和下铜层；上铜层的表面分布多个上凸包，下铜层的表面分布多个下凸包；铜基板，铜基板的表面与覆铜陶瓷基板的下铜层焊接连接；多个芯片，每个芯片分别对应焊接在一个上凸包上，相邻的各芯片之间通过键合线键合；功率端子，功率端子焊接在覆铜陶瓷基板的上铜层的表面。有益效果是由于上凸包和下凸包具有一定的高度，使得铜基板的表面与覆铜陶瓷基板之间具有一定的间隙，使得有机成分会与氧气反应生成的二氧化碳气体能够有足够的空间全部逸出，在逸出过程中不会在覆铜陶瓷基板与芯片或散热基板之间形成空洞。