一种射频放大器散热结构

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及一种射频放大器散热结构，包括芯片和硅金刚石热沉片，所述芯片焊接在所述硅金刚石热沉片的上方，所述硅金刚石热沉片远离所述芯片的一侧设置有微流道。本实用新型的射频放大器散热结构包括芯片和硅金刚石热沉片，其中，芯片焊接在硅金刚石热沉片的上方，硅金刚石热沉片的下方设置有微流道。该射频放大器散热结构以硅金刚石作为封装结构的热沉片，不仅解决了金刚石难以加工，不方便切割，且表面不易被焊料浸润的问题，而且大幅提高了芯片有源区近端封装体的热导率，可通过传导的方式将热量迅速传输到微流道的液体中，避免热累计效应引起的局部温度升高，进而降低芯片的工作结温。