一种多芯片并联封装结构及智能功率模块

本实用新型提供了一种多芯片并联封装结构及智能功率模块，属于功率模块技术领域。该多芯片并联封装结构包括多个芯片，相邻两个芯片之间通过金属层相互并联，所述金属层上设置有钝化层。该多芯片并联封装结构通过金属层直接将芯片并联，改变了现有的将芯片划片分割后通过键合引线相互并联的方式，能够避免划片过程造成芯片的损伤，还能够提升芯片连接的稳定性。