一种三结太阳电池及其制备方法

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该三结太阳电池自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池、欧姆接触层；中电池包括基区、发射区和窗口层，基区和发射区的材料均为Inx1GaAsP，其中0.03≤x1≤0.10。本发明通过在中电池的基区和发射区的材料InGaAs中引入P，有效改善中电池的抗辐照能力，同时通过提高In组分来补偿引入P导致的晶格失配，进一步改善三结太阳电池的抗辐照能力；通过调整中电池材料中In和P的比例来调节外延材料的应变、优化生长过程中锗衬底的翘曲，改善外延材料的晶体质量，提升电池芯片的光电转换效率。