一种含横向耦合腔TCC-VCSEL的制备方法

本申请公开了一种高速直接调制的含横向耦合腔TCC‑VCSEL的制备方法，其中所述VCSEL芯片外延结构以下至上包括:n型GaAs衬底，n型缓冲层,n‑DBR层，包括量子阱和势垒层的有源层，由氧化限制层窗口定义的选择区域砷离子注入第一p‑DBR层,氧化限制层，第二p‑DBR层和高掺杂p接触层。两个相互联接的方型氧化物限制窗口形成正常VCSEL发光窗口和提供光学反馈的横向耦合腔的反馈腔。本申请可以有效控制VCSEL氧化限制窗口的尺寸，尤其是能够精确控制横向耦合腔的尺寸并改善其均匀性,从而能够增加VCSEL带宽，提高良率，可以使低成本的VCSEL激光器满足高速通信领域的需求，降低通信系统的成本。