一种SiC器件的高温封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种SiC器件的高温封装方法。本发明基于LTCC多层互连工艺和低温烧结技术，采用多层结构设计和内部封装方法，通过引入墨材质的高温应力缓冲层以及金属导热通孔柱，实现了高效的散热性能与高温应力的有效调控，该方法可以实现在400℃以上高温环境的应用需求，并保证优异的导电和导热性能，能够有效缓解高温环境下的热应力，从而突破传统封装材料体系的温度瓶颈。