一种发光二极管芯片及其制备方法

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一种发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202510006299
申请日期:2025-01-02
公开号:CN119789635A
公开日期:2025-04-08
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供一种发光二极管芯片及其制备方法,属于显示技术领域,包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上生长外延层,并对所述外延层进行刻蚀工艺,形成阵列分布的多个发光体;提供第二衬底,并在所述第二衬底上形成导电层;将所述导电层与包括多个发光体的所述外延层键合;在所述导电层的一侧朝向所述外延层注入填充材料,使所述填充材料将各个所述发光体之间的间隙填充;去除所述第二衬底,并在所述外延层及所述导电层上形成键合电极。通过本申请实施例提供的一种发光二极管芯片及其制备方法,可以提高发光二极管芯片中导电层与电极层之间的连接性能稳定性。
技术关键词
发光二极管芯片 衬底上生长外延层 发光体 导电层 刻蚀工艺 多层结构 绝缘材料 电极 压强 石墨烯 阵列 单层 玻璃
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