一种高光效LED发光半导体及其制备方法

本发明属于LED技术领域，解决现有技术中LED存在光效差的问题，提供了一种高光效LED发光半导体及其制备方法，其包括：激发芯片和荧光粉。所述荧光粉包括第一荧光粉、第二荧光粉和第三荧光粉，所述第一荧光粉的峰值波长位于第一波长区间内，所述第二荧光粉的峰值波长位于第二波长区间内，所述第三荧光粉的峰值波长位于第三波长区间内；所述第一波长区间为540‑550 nm，所述第二波长区间为625‑635 nm，所述第三波长区间为615‑620 nm；所述LED激发芯片的主波长位于第四波长区间，所述第四波长区间为440‑470nm。本发明通过芯片和荧光粉的协同，使得获得的LED发光半导体具有更高的光效和稳定性。