功率MOSFET芯片热稳定性评价方法

本申请提供了功率MOSFET芯片热稳定性评价方法，包括如下步骤：将待评价MOSFET芯片封装成被测器件DUT；用半导体热分析设备校准DUT的TSP，获取校准参数；选择10ms电流作为对DUT进行加热的评价电流，选择80％的V(br)dss作为评价位置，对DUT进行热稳定性评价测量，V(br)dss为漏‑源电压最大额定值；对步骤S103的测量数据进行分析，得出特征结温点评价DUT芯片的热稳定性。本申请对MOSFET原位测试即可获得不同电参数Vds、Id对应的热参数Tj，可直观地看到每个特征结温点在评价位置线上的高度，使MOSFET芯片的热稳定性评价变得简单明了，提高了产品可靠性，降低了用户使用风险。