激光器芯片及其制备方法

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激光器芯片及其制备方法
申请号:CN202510042806
申请日期:2025-01-10
公开号:CN119965673A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光通信技术领域,提供了一种激光器芯片,包括电吸收调制器以及半导体光放大器,还包括用于反射所述反射半导体光放大器的自发辐射光的反射光栅,所述半导体光放大器设于所述电吸收调制器的出光侧,所述半导体光放大器所在区域中设有所述反射光栅,所述反射光栅靠近所述电吸收调制器所在区域设置。还提供一种激光器芯片制备方法。本发明通过设置反射光栅,能够反射半导体光放大器的自发辐射光,减小光窜扰,提高信号质量。
技术关键词
半导体光放大器 电吸收调制器 激光器芯片 反射光栅 衬底上外延生长 光通信技术 光源 周期 正面 信号
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