半导体晶圆缺陷检测光源配置方法、装置及设备

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半导体晶圆缺陷检测光源配置方法、装置及设备
申请号:CN202510047708
申请日期:2025-01-13
公开号:CN119445046B
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光源配置技术领域,公开了一种半导体晶圆缺陷检测光源配置方法、装置及设备,该方法包括:获取半导体晶圆图像并进行动态图卷积处理和缺陷特征增强,得到增强缺陷特征图;将增强缺陷特征图输入双路深度神经网络进行反射光强计算和图像质量评分,得到缺陷区域的反射光强数据以及图像质量评分数据;获取多个光源的光源输入电流和光强传感器数据,并结合图像质量评分数据对光源角度参数进行识别计算,得到光源初始参数;基于反射光强数据和光源初始参数进行非线性控制,得到光源控制参数;计算多个光源的通道权重并进行差异化处理,得到协同光源配置参数,本发明提升了缺陷检测的准确性和可靠性,降低了光源参数配置的人工调试成本。
技术关键词
半导体晶圆缺陷 光源配置方法 双路深度神经网络 光强传感器 参数 数据 光源配置装置 光源组 通道 边缘点特征 非线性 矩阵 图像增强 状态空间方程 编码特征 多尺度
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