摘要
本发明涉及多晶钻石烧结体散热片技术领域,且公开了一种多晶钻石烧结体散热片,该多晶钻石烧结体散热片由PCD制成,PCD不含鈷,也不带底,PCD至少其一面以铜钛合金钎焊,PCD覆铜乃软焊在半导体上使用,芯片包括CPU、GPU、IGBT或HEMT。本发明所述的多晶钻石烧结体散热片,以钻石覆铜结合低热膨胀率及高热导率,钻石为以硅为粘结剂在高压烧结(如Polycrystalline Diamond或PCD)或气相沉积(Chemical Vapor Deposition成PCD),覆铜则以铜钛合金钎焊而在钻石界面化合生成碳化钛,这样牢牢抓住钻石,使得功率或速度不受限制,实用性更加理想。
技术关键词
烧结体
钻石
钛合金
散热片技术
双面覆铜
半导体
钎焊
功率芯片
硬质合金
碳化钛
真空炉
碳化硅
粘结剂
铜箔
气相
导热
界面
高压
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