一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在具有多个倒装LED芯片主体的晶圆的出光面上沉积形成反射基础层；在反射基础层的表面刻蚀形成多个凹槽结构，凹槽结构和倒装LED芯片主体一一对应，凹槽结构的槽壁作为反射围墙，凹槽结构的槽底区域作为增透区；沿着反射围墙的表面沉积形成反射金属膜；沿着反射金属膜和增透区的表面沉积形成光筛层；在增透区中的光筛层上刻蚀形成多个圆孔，显露出增透区的表面。本发明通过在芯片的出光面上形成反射围墙、增透区、反射金属膜和带圆孔的光筛层，不仅能够有效减少侧面漏光，而且能够提高轴向出光效率，从而有利于提高整体亮度。