具有热解耦结构的CMOS-MEMS单片集成热电堆红外探测器

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具有热解耦结构的CMOS-MEMS单片集成热电堆红外探测器
申请号:CN202510068706
申请日期:2025-01-16
公开号:CN119873723A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本发明涉及CMOS‑MEMS芯片领域,具体是一种具有热解耦结构的CMOS‑MEMS单片集成热电堆红外探测器,包括MEMS热电堆、AS IC电路和热解耦结构;MEMS热电堆包括热电堆Ⅰ与热电堆Ⅱ,且热电堆Ⅰ与热电堆Ⅱ的红外吸收效率不同;热解耦结构包括隔热空腔、散热微流道以及位于MEMS热电堆与AS IC电路中间的热隔离槽。本发明首先采用具有不同红外吸收率的差分结构热电堆,以消除ASIC电路的自发热效应带来的影响。然后,通过优化AS IC电路热布局使得AS IC电路热尽量分布均匀,最后,通过热解耦结构加速AS IC电路热量的耗散,并切断与热电堆的热传导路径,进一步减少AS IC电路对MEMS热电堆的热干扰。
技术关键词
集成热电堆 ASIC电路 MEMS热电堆 红外探测器 CMOS工艺 单片 高红外反射率 氮化硅钝化层 模数转换器 热电势 MEMS芯片 微流道 微控制器 单晶硅 光刻图案 温度传感器 热电偶 模块
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