摘要
本发明涉及CMOS‑MEMS芯片领域,具体是一种具有热解耦结构的CMOS‑MEMS单片集成热电堆红外探测器,包括MEMS热电堆、AS IC电路和热解耦结构;MEMS热电堆包括热电堆Ⅰ与热电堆Ⅱ,且热电堆Ⅰ与热电堆Ⅱ的红外吸收效率不同;热解耦结构包括隔热空腔、散热微流道以及位于MEMS热电堆与AS IC电路中间的热隔离槽。本发明首先采用具有不同红外吸收率的差分结构热电堆,以消除ASIC电路的自发热效应带来的影响。然后,通过优化AS IC电路热布局使得AS IC电路热尽量分布均匀,最后,通过热解耦结构加速AS IC电路热量的耗散,并切断与热电堆的热传导路径,进一步减少AS IC电路对MEMS热电堆的热干扰。
技术关键词
集成热电堆
ASIC电路
MEMS热电堆
红外探测器
CMOS工艺
单片
高红外反射率
氮化硅钝化层
模数转换器
热电势
MEMS芯片
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