一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法

本发明公开了一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法，至少包括以下步骤：步骤S1：将GaN HEMT器件建模为小信号等效电路模型；步骤S2：基于步骤S1的模型，提取外部寄生参数；步骤S3：提取内部本征参数；步骤S1中，等效电路模型包括外部寄生参数和内部本征参数，其中，外部寄生参数不受施加的偏置电压影响，包括金属电极间寄生电容Cpg、Cpd和Cpg，外部寄生电感Lg、Ld和Ls，以及外部寄生电阻Rg、Rd和Rs；内部本征参数受器件工作时的沟道结构和偏置条件影响，包括沟道电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、漏源输出电导Gds；各端口之间电容Cgs、Cgd、Cds；跨导gm、时延参数τ。