堆叠芯片结构、集成电路封装件及其制造方法

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堆叠芯片结构、集成电路封装件及其制造方法
申请号:CN202510071534
申请日期:2025-01-16
公开号:CN119965191A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
公开了用于芯片堆叠件的贯通孔电力传输结构及其制造方法。示例性堆叠芯片结构包括第一芯片和第二芯片。第一芯片具有第一衬底、第一器件层和第一互连结构。第二芯片具有第二衬底、第二器件层和第二互连结构。第一贯通孔延伸穿过第一衬底、第一器件层、第一互连结构,并且进入第二互连结构。第二贯通孔延伸穿过第一衬底、第一器件层,并且进入第一互连结构。第二贯通孔和第一贯通孔可以分别电连接至第一器件层和第二器件层,并且可以分别经由第二贯通孔和第一贯通孔将电力传输到第一器件层和第二器件层。本公开的实施例还涉及集成电路封装件及其制造方法。
技术关键词
堆叠芯片结构 互连结构 集成电路封装件 衬底 管芯 电力传输结构 保护环 芯片堆叠 尺寸 通孔 电源
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