半导体器件、电容结构及其制造方法

本发明涉及半导体器件、电容结构及其制造方法；所述半导体器件包括外延层，所述外延层具有深槽结构和位于深槽结构两侧的阱区；外延层上表面具有控制栅介质层和控制栅多晶层；所述深槽结构内具有通过介质层隔离形成的n个第一预设区和n+1个第二预设区，所述第一预设区位于两个第二预设区之间；第一预设区和第二预设区均填充多晶硅；所述第一个第二预设区和第n+1个第二预设区与所述阱区通过介质层隔离；本发明在有效的芯片面积下可以制作出远大于平面型电容容值的电容，有效利用器件本身的栅电极，优化电容的互连结构，极大降低了芯片面积和结构复杂性，优化芯片制作成本，提高了芯片的稳定性。