一种芯片制造过程中的颗粒优化方法

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一种芯片制造过程中的颗粒优化方法
申请号:CN202510075488
申请日期:2025-01-17
公开号:CN119913483A
公开日期:2025-05-02
类型:发明专利
摘要
本发明属于芯片制造技术领域,涉及一种芯片制造过程中的颗粒优化方法,包括依次进行的腔体升压过程、液源稳定过程、主沉积、臭氧吹扫和抽调尾气;其中,所述芯片制造过程采用亚大气压化学气相沉积法。本发明通过在主沉积步骤之后增加臭氧吹扫步骤,利用臭氧与多余的液源反应,从而避免了多余的液源流入腔体形成颗粒,显著减少了芯片表面的颗粒数量,改善了产品性能,有利于大规模推广应用。
技术关键词
臭氧 气相沉积法 阶梯式 芯片 尾气 腔体 正硅酸乙酯 大气压 氦气 分流阀 压力 氧气 真空
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