摘要
本发明属于芯片制造技术领域,涉及一种芯片制造过程中的颗粒优化方法,包括依次进行的腔体升压过程、液源稳定过程、主沉积、臭氧吹扫和抽调尾气;其中,所述芯片制造过程采用亚大气压化学气相沉积法。本发明通过在主沉积步骤之后增加臭氧吹扫步骤,利用臭氧与多余的液源反应,从而避免了多余的液源流入腔体形成颗粒,显著减少了芯片表面的颗粒数量,改善了产品性能,有利于大规模推广应用。
技术关键词
臭氧
气相沉积法
阶梯式
芯片
尾气
腔体
正硅酸乙酯
大气压
氦气
分流阀
压力
氧气
真空
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