极紫外光刻系统的像差分析的方法、装置及电子设备

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极紫外光刻系统的像差分析的方法、装置及电子设备
申请号:CN202510090737
申请日期:2025-01-21
公开号:CN120353099A
公开日期:2025-07-22
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种极紫外光刻系统的像差分析的方法、装置及电子设备,可以应用于高分辨成像系统像差优化与分析技术领域。该极紫外光刻系统的像差分析的方法,包括:获取极紫外光刻系统的光刻参数信息;利用像差影响预测模型对光刻参数信息进行处理,得到光刻影响分布信息,其中,像差影响预测模型是根据光刻参数信息和光刻影响分布信息之间的关联关系构建的,光刻影响分布信息包括像差分布信息和曝光图案分布信息中的任意一分布信息,光刻影响分布信息用于表征实际波前和理想波前之间的不一致的程度对极紫外光刻系统的光刻参数信息的影响度;对光刻影响分布信息进行分析,得到极紫外光刻系统的目标误差影响分析结果。
技术关键词
紫外光刻系统 图案 泊松分布模型 因子 关系 电子设备 图像 遗传算法 处理器 线条 样本 误差 存储装置 分析模块 多项式 变量 程序 参数
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