一种耐高温硅压阻脉动压力传感器及其制作方法

本发明涉及MEMS传感器技术领域，具体的说是一种耐高温硅压阻脉动压力传感器及其制作方法。传感器的无PN结SOI硅压阻压力敏感芯片的顶层硅与玻璃衬片刚性密封后，被倒置固态封装在耐高温小口径管座内柱中，具有无液体、无可动件，热特性匹配稳定、固有频率高和口径小及重量轻的优势特征。本发明的耐高温硅压阻脉动压力传感器能够弥补和突破常规硅压阻压力传感器环境适应性的先天短板和局限性，不仅适用脉动压力的测量，也通用静态压力测量，可以长期稳定、鲁棒、可靠地原位测量单晶硅理想杨氏模量极限温度556℃以下的气、液体压力。