一种功率半导体器件高效主动散热结构及其制备方法

本发明涉及一种功率半导体器件高效主动散热结构及其制备方法，高效主动散热结构包括：含液体流动通道的热端基板10、冷端基板16，含液体流动通道的热端基板10与冷端基板16平行，且含液体流动通道的热端基板10与冷端基板16之间有交替排列的P型半导体17和N型半导体18，冷端基板16的外表面设置有第三电路层19，用于与功率半导体芯片22相连。本发明提出的散热结构可极大降低半导体制冷器热端基板的温度，提升制冷效率，避免热界面材料引起较大接触热阻的问题，实现功率半导体器件高效主动散热。