封装结构、电子设备、芯片堆叠结构和封装方法

本公开涉及一种封装结构、电子设备、芯片堆叠结构和封装方法，所述封装结构包括相互堆叠的第一芯片和第二芯片以及金属层，所述第二芯片与所述第一芯片的有源面相对设置，所述第一芯片内设置有第一元件；金属层设置在所述第一元件朝向所述第二芯片的一侧，所述金属层用于减小所述第二芯片的信号对所述第一元件产生的干扰，所述金属层所在区域的金属密度为20％～70％。本公开的封装结构，通过将金属层设置在第一元件朝向第二芯片的一侧，并将金属层所在区域的金属密度设为20％～70％，利用金属层减少第二芯片的信号对第一元件产生的干扰，从而可以提高第一元件的信号质量，提高封装结构的信号质量。