一种LED芯片及其提亮方法

本发明公开了一种LED芯片及其提亮方法，包括以下步骤：S1：在外延层上刻蚀MESA结构，使N‑GaN层外露，并形成正负极；S2：对LED芯片边缘的N‑GaN进行刻蚀，直至蓝宝石衬底表面形成隔离层；S3：在外延层上溅射ITO层，并使ITO层与MESA结构之间保持第一距离；S4：沿MESA结构的边缘制作第一绝缘层，使第一绝缘层包覆MESA结构；S5：在第一绝缘层上依次形成DBR层、第二绝缘层以及银镜反射层。本发明能够提高LED芯片的亮度，进而减少封装体中所使用的LED芯片数量。