有序与无序结构集成的纳米花SERS芯片及其制备方法

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有序与无序结构集成的纳米花SERS芯片及其制备方法
申请号:CN202510101930
申请日期:2025-01-22
公开号:CN119827477A
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
有序与无序结构集成的纳米花SERS芯片及其制备方法,涉及表面增强拉曼散射芯片检测领域。芯片包括基底层、有序周期性纳米结构阵列金属层、无序纳米片金属层,纳米花结构金属层;所述纳米花结构金属层及无序纳米片金属层附着在有序周期性纳米结构阵列金属层表面;有序周期性纳米结构阵列金属层附着在基底层表面。纳米花结构金属层单元纳米结构包括纳米片、纳米线、纳米球等。制备方法包括纳米压印、氧等离子体刻蚀、磁控溅射、电化学沉积等步骤。通过有序结构保证检测重复性,无序结构提升热点密度和强度,制备工艺稳定可靠,能生产出表面均一、重复性高的芯片,在生化传感、食品安全和环境监测等领域具有广阔应用前景。
技术关键词
周期性纳米结构 纳米花结构 SERS芯片 纳米压印技术 纳米片 纳米结构阵列 基底层 等离子体刻蚀技术 聚合物基底表面 重复性 电化学沉积技术 金属纳米结构 磁控溅射技术 纳米球 周期性结构
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