集成电路铜互连中含第六副族氮化物的扩散阻挡层

本发明涉及集成电路铜互连中含第六副族氮化物的扩散阻挡层，属于芯片制造领域。所述扩散阻挡层包括含Cr的扩散阻挡层、含氮化钼的扩散阻挡层、含氮化钨的扩散阻挡层；所述含Cr的扩散阻挡层中含有Cr和N、优选为由Cr和N组成。本发明所设计和制备的厚度小于等于16nm的含Cr的扩散阻挡层在800℃退火处理之后扩散阻挡性能未失效。本发明所设计和制备的厚度小于等于16nm的含氮化钼的扩散阻挡层在700℃退火处理之后扩散阻挡性能未失效。本发明所设计和制备的厚度小于等于16nm的含氮化钨的扩散阻挡层在600℃退火处理之后扩散阻挡性能未失效。本发明涂层组分设计合理，制备工艺简单可控，所得产品性能优良，便于产业化应用。