长波长激光器的微转印键合封装方法及结构

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长波长激光器的微转印键合封装方法及结构
申请号:CN202510125922
申请日期:2025-01-27
公开号:CN120109639A
公开日期:2025-06-06
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种长波长激光器的微转印键合封装方法及结构,封装方法包括:提供基底,基底形成有光波导;提供激光器芯片,激光器件层包括依次层叠的N型掺杂半导体层、多量子阱层和P型掺杂半导体层;将激光器芯片转印至基底,基于导热粘附层将激光器芯片的N型掺杂半导体层键合于基底上,激光器芯片的耦合端面朝向光波导。本发明采用微转印键合激光器芯片的N型掺杂的磷化铟层与基底的方式可以使得整个器件的热阻更低,有效保证了长波长激光器的高温工况下的工作和大大提高了激光器的长期可靠性。同时,本发明可以使得微转印键合具有更好的键合公差。
技术关键词
激光器芯片 键合封装方法 掺杂半导体 光波导 封装结构 基底 导热 长波长 正电极 层叠 磷化铟 丁烯 衬底 凹槽 热阻 公差
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